ИМС К159НТ1А-Е
 
Главная... → ИМС К159НТ1А-Е
ИМС К159НТ1А-Е

239.24-1 package view239.24-1 package viewИМС К159НТ1А-Е

Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр и типа 201.14-1, масса не более 1,0 гр.

Корпус ИМС К159НТ1А-Е

301.8-2 package view



















Корпус ИМС КР159НТ1А-Е

201.14-1 package view



















Электрическая схема

Conditional graphic designation1,8 - свободные;
2 - коллектор транзистора VT1;
3 - база транзистора VT1;
4 - эмиттер транзистора VT1;
5 - эмиттер транзистора VT2;
6 - база транзистора VT2;
7 - коллектор транзистора VT2;





Электрические параметры

1

Разность напряжений эмиттер-база транзисторов
159НТ1А-В
159НТ1Г-Е


не более 3 мВ
не более 15 мВ

2

Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА

0,55...0,75 В

3

Обратный ток коллектор-база

не более 200 нА

4

Обратный ток эмиттер-база

не более 500 нА

5

Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В

не более 20 нА

6

Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА
159НТ1А,Г
159НТ1Б,Д
159НТ1В,Е


20...80
60...180
более 80

7

Емкость эмиттера на частоте 10 мГц

не более 5 пФ

8

Емкость коллектора на частоте 10 мГц

не более 4 пФ



Предельно допустимые режимы эксплуатации

1

Напряжение коллектор-база

20 В

2

Напряжение эмиттер-база

4 В

3

Напряжение между транзисторами

20 В

4

Ток коллектора постоянный

10 мА

5

Ток коллектора импульсный tи=30 мкс

40 мА

6

Рассеиваемая мощность

50 мВт





Комментарии..

    Комментариев нет..
Тип комментария
Имя *
Email

Введите проверочный код *