К174УН8 Усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощность до 2 Вт на нагрузку 4 Ом
 
Главная... → К174УН8 Усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощность до 2 Вт на нагрузку 4 Ом
К174УН8 Усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощность до 2 Вт на нагрузку 4 Ом

К174УН8    Усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощность до 2 Вт на нагрузку 4 Ом



Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощность до 2 Вт на нагрузку 4 Ом. Содержит 30 интегральных элементов. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.9-1. Масса не более 2,0 гр.

Корпус ИМС К174УН8

 201.9-1 package view 1 - коррекция Icc выходных транзисторов;
2 - обратная связь;
3 - теплоотвод;
4 - вход;
5 - фильтр;
6 - вольтодобавка;
7 - питание +Uи.п.;
8 - выход;
9 - общий -Uи.п..

Принципиальная схема ИМС К174УН8

 K174UN8 principial scheme

Типовая схема включения ИМС К174УН8

K174UN8 application scheme

Схема включения ИМС К174УН8 с замленной нагрузкой

 K174UN8 with ground application scheme

Электрические параметры

1 Номинальное напряжение питания 12 В ± 10%
2 Ток потребления при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, Uвх = 0 В 15 мА
3 Коэффициент усиления при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В 4…40
4
Нестабильность коэффициента усиления напряжения при
Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Rн = 4 Ом

20 %
5
Коэффициент гармоник при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, fвх = 1 кГц
Uвых = 2,83 В, Рвых = 2 Вт

2 %
6 Входное сопротивление при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц 10 кОм
7 Выходная мощность при Uп = 12 В, Rн = 4 Ома 2,5Вт
8 Диапазон рабочих частот 30…20 000 Гц
9 Коэффициент полезного действия при Pвых = 2 Вт 50 %


Предельно допустимые режимы эксплуатации

1 Напряжение питания 13,2 В
2 Амплитудное значение тока в нагрузке 1,09 А
3 Сопротивление нагрузки 4 Ом
4  

Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус
кристалл-среда

60°С/Вт
135°С/Вт
5 Температура окружающей среды -25...+55°С
6 Температура кристалла +125 °С


Общие рекомендации по применению

При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки 235 ± 5 °С, расстояние от корпуса до места пайки на более 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания.

Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода. Допускается включение нагрузки относительно общего вывода (с заземленной нагрузкой).

Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющие вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода для соединения с навесными элементами, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.

Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах осуществляется изменением емкостей конденсаторов С2 и С4, а во всей полосе пропускания - изменением глубины отрицательной обратной связи, регулировкой сопротивления R1 и емкостью C2.

Допустимое значение статического потенциала 200 В.



Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.



Комментарии..

    Комментариев нет..
Тип комментария
Имя *
Email

Введите проверочный код *