К174УН7 Усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощностью 4,5 Вт на нагрузку 4 Ом
 
Главная... → К174УН7 Усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощностью 4,5 Вт на нагрузку 4 Ом
К174УН7 Усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощностью 4,5 Вт на нагрузку 4 Ом

К174УН7    Усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощностью 4,5 Вт на нагрузку 4 Ом



Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 4,5 Вт на нагрузку 4 Ом. Аналог микросхемы TBA810AS и LA4420 (функциональный аналог). Микросхема предназначена для применения в телевизионной аппаратуре. Содержит 41 интегральный элемент. Конструктивно оформлена в корпусе типа 201.12.-1, 238.12-2. Масса не более 2,0 и 2,5гр соответственно (ТУ 1986г.).

Корпус ИМС К174УН7

 201.12.-1 type package view 1 - питание +Uи.п.;
4 - цепь обратной связи для регулировки Ку.u;
5 - коррекция;
6 - обратная связь;
7 - фильтр;
8 - вход;
9 - общий - Uи.п..
10 - эмиттер выходного транзистора;
12 - выход;
 238.12-2 type package view
201.12.-1 238.12-2


Принципиальная схема ИМС К174УН7

 K174UN7 principial scheme

Типовая схема включения ИМС К174УН4

 K174UN7 application scheme

Электрические параметры

1 Номинальное напряжение питания 15 В ± 10%
2  
Выходное напряжение при
Uп = 15 В, fвх = 1 кГц

2,6…5,5 В
3  
Максимальное входное напряжение при Uп = 15 В,
Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Рвых = 2,5 Вт

30…70 мВ
4 Ток потребления при Uп = 15 В 5…20 мА
5 Выходная мощность при Rн = 4 Ома 4,5 Вт
6  


Коэффициент гармоник при Uп = 15 В, fвх = 1 кГц:
Uвых = 4,25 В, Рвых = 4,5 Вт
Uвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт
Uвых = 3,16 В, Рвых = 2,5 Вт

> 10 %
> 2 %
> 2 %
7 Коэффициент усиления по напряжению при Т= -10…+55°С 45
8 Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц 30 кОм
9 Диапазон рабочих частот 40…20 000 Гц
10 Коэффициент полезного действия при Pвых = 4,5 Вт 50 %


Предельно допустимые режимы эксплуатации

1 Напряжение питания 13,5…16,5 В
2 Амплитуда входного напряжения > 2,0В
3  

Постоянное напряжение:
на выводе 7
на выводе 8

> 15 В
0,3…2,0 В
4 Сопротивление нагрузки 4 Ом
5  

Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус
кристалл-среда

20°С/Вт
100°С/Вт
6 Температура окружающей среды -10…+55°С
7 Температура кристалла + 85 °С


Общие рекомендации по применению

Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса выше 60°С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле
Р=(150-Ткорп)/20, Вт (с теплоотводом),
где Ткорп - температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы.

Допускается кратковременное (в течении 3 мин) увеличение напряжения питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего источника на выводы 5, 6 и 12 микросхемы недопустима. Выходное сопротивление источника питания должно быть не более 0,05 Ом.



Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.



Комментарии..

    Комментариев нет..
Тип комментария
Имя *
Email

Введите проверочный код *