К174УН5 Усилитель мощности с номинальной выходной мощностью 2 Вт при нагрузке 4 Ом для работы в звуковых трактах аппаратуры
 
Главная... → К174УН5 Усилитель мощности с номинальной выходной мощностью 2 Вт при нагрузке 4 Ом для работы в звуковых трактах аппаратуры
К174УН5 Усилитель мощности с номинальной выходной мощностью 2 Вт при нагрузке 4 Ом для работы в звуковых трактах аппаратуры

К174УН5    Усилитель мощности с номинальной выходной мощностью 2 Вт при нагрузке 4 Ом для работы в звуковых трактах аппаратуры


 

 

Микросхема представляет собой усилитель мощности с номинальной выходной мощностью 2 Вт при нагрузке 4 Ом для работы в звуковых трактах аппаратуры. Содержит 42 интегральных элемента. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.12-1 и второй вариант приведен на рисунке, масса не более 2 гр.

Корпуса ИМС К174УН5

 238.12-1 type package view 1,12 - общий
2 - выход
4 - напряжение питания
5,8 - фильтр
6 - вход 2
7 - вход 1
9,11 - коррекция
 Another package view for K174UN5 IC 33,37 - общий
29 - выход
25 - напряжение питания
2,810 - фильтр
12 - вход 2
14 - вход 1
6,22 - коррекция


Принципиальная схема ИМС К174УН5

 K174UN5 principial scheme

Типовая схема включения ИМС К174УН5

 K174UN5 application scheme

Электрические параметры

1 Номинальное напряжение питания 12 В ± 10 %
2 Ток потребления при Uп = 12 В 30 мА
3 Коэффициент усиления при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц 80 ... 120
4
Нестабильность коэффициента усиления напряжения  
при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц не более

± 20 %
5
Коэффициент нелинейных искажений при
Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 2 Вт

1,0 %
6 Входное сопротивление при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц 10 кОм
7
Номинальная мощность отдаваемая в нагрузку
Rн = 4 Ома при Uп = 12 В

2,0 Вт
8 Диапазон рабочих частот по уровню 3 дБ 30 ... 20 000 Гц


Предельно допустимые режимы эксплуатации

1 Напряжение питания 13,2 В
2 Максимальное напряжение синфазных сигналов 5,5 В
3 Максимальная амплитуда выходного напряжения 1,5 В
4 Амплитуда тока в нагрузке разового сигнала 1,45 А
5
Максимальная длительность выходного импульса
при скважности 3
30 мС
6 Активное сопротивление нагрузки 3,2 Ом
7 Температура кристалла +125 °С
8

Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус
кристалл-среда

20 °С/Вт
100 °С/Вт
9 Температура окружающей среды -25 ... +55 °С


Общие рекомендации по применению

Не допускается эксплуатация микросхемы в режиме, при котором два параметра имеют предельно допустимые значения.

При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена ее защита от случайного увеличения напряжения питания. Эксплуатация микросхемы допускается только с применением теплоотвода.

При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки при монтаже микросхемы не более 265°С, продолжительность пайки вывода не более 3 с, интервал между пайками соседних выводов - 10 с. Расстояние от корпуса до места пайки на менее 1 мм.

При монтаже микросхемы рекомендуется предусматривать наименьшую длину выводов навесных элементов для уменьшения влияния паразитных связей. Замену микросхемы необходимо производить только при отключенном источнике питания.



Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.



Комментарии..

    Комментариев нет..
Тип комментария
Имя *
Email

Введите проверочный код *