К153УД1А К153УД101А Операционные усилители средней точности с выходным напряжением 10 В
 
Главная... → К153УД1А К153УД101А Операционные усилители средней точности с выходным напряжением 10 В
К153УД1А К153УД101А Операционные усилители средней точности с выходным напряжением 10 В

К153УД1А К153УД101А Операционные усилители средней точности с выходным напряжением 10 В





Микросхемы представляют собой операционные усилители средней точности, с выходным напряжением plus minus 10 В. Предназначены в основном для работы на относительно невысоких частотах. Для обеспечения достаточно высокого входного сопротивления первый дифференциальный каскад работает в режиме малых коллекторных токов, в результате чего паразитные и корректирующие емкости ограничивают выходное напряжение на высокой частоте, неустойчивость работы устраняется введением внешних цепей коррекции. Содержат 90 интегральных элементов. Корпус К153УД1А типа 301.8-2, К153УД101А - типа 301.8-1 , масса не более 1,5 г.



Корпус ИМС К153УД1А

301.8-2 package view



















Корпус ИМС К153УД101А

3101.8-1 package view



















Условное графическое обозначение ИМС К153УД1А, К153УД101А

Conditional graphic designation K153UD1A

1,8 - частотная коррекция I;
2 - инвертирующий вход;
3 - неинвертирующий вход;
4 - напряжение питания (-Uп);
5 - частотная коррекция II;
6 - выход;
7 - напряжение питание (+Uп);





Схема инвертирующего усилителя на К153УД1А, К153УД101А.
Коэффициент усиления изменяется с помощью резисторов R1 и R3


The scheme of the inverting amplifier on K153UD1A

Схема компаратора напряжения на ИМС К153УД1А, К153УД101А

The scheme of the comparator of a voltage on K153UD1A

Схема генератора прямоугольных импульсов на К153УД1А, К153УД101А. Период генерации определяется элементами R1, R2, R4 и C1

The scheme of the generator of rectanqular pulses on K153UD1A

Схема дифференциатора на К153УД1А, К153УД101А. Постоянная времени определяется элементами R1 и С1

The scheme of the differentiation on K153UD1A

Электрические параметры

1 Номинальное напряжение питания plus minus 15 Вplus minus 10 %
2 Максимальное выходное напряжение
при Uп= plus minus 15 В, Uвх= plus minus 0,15 В, Rн=2 кОм
more or equally |plus minus 10| В
3 Напряжение смещения нуля при Uп= plus minus 16,5 В, Rн more or equally 10 кОм less or equally 7,5 мВ
4 Входной ток при Uп= plus minus 16,5 В, Rн more or equally 10 кОм less or equally 1500 нА
5 Средний входной ток при Uп= plus minus 16,5 В, Rн mor or equally 10 кОм less or equally 2000 нА
6 Разность входных токов при Uп=16,5 В, Rн more or equally 10 кОм less or equally 500 нА
7 Ток потребления при Uп= plus minus 16,5 В, Rн more or equally 10 кОм less or equally 6 мА
8 Коэффициент усиления напряжения при Uп= plus minus 15 В, Rн=2 кОм, f=50 Гц more or equally 20000
9 Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений при Uп= plus minus 15 В,
Rн more or equally 10 кОм, Uвх=8 В
more or equally 65 дБ
10 Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля less or equally 200 мкВ/В
11 Скорость нарастания выходного напряжения 0,2 В/мкс
12 Время установления выходного напряжения 0,3 мкс
13 Частота единичного усиления 1 МГц
14 Входное сопротивление 260 кОм
15 Выходное сопротивление 150 Ом


Предельно допустимые режимы эксплуатации

1 Напряжение питания
в предельном режиме
plus minus (13,5...16,5) В
plus minus (8,1...16,5) В
2 Входное напряжение
в предельном режиме
less or equally plus minus 4,5 В
plus minus 5 В
3 Синфазные входные напряжения при Uп= plus minus 16,5 В less or equally plus minus 8 В
4 Сопротивление нагрузки more or equally 2 кОм
5 Рассеиваемая мощность
в предельном режиме
less or equally 450 мВт,
less or equally 500 мВт
6 Статический потенциал 100 В
7 Температура окружающей среды -45...+85 ° C


Общие рекомендации по применению

Максимальная температура пайки микросхем (270 scheme 10) ° C, расстояние от корпуса до места пайки не менее 1,5 мм, продолжительность пайки не более 3 с.Допускается не более трех перепаек при проведении монтажных операций.



Зарубежные аналоги

µ A709



Литература

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1999г. - 640с.:ил.



Комментарии..

    Комментариев нет..
Тип комментария
Имя *
Email

Введите проверочный код *